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          法国Jean Lamour研究所Thierry Belmonte所长和陆沅博士来半导体所交流

          2019-08-23

          應半導體所光電子研發中心成步文研究員的邀請,2019822日上午,法國Jean Lamour研究所的Thierry Belmonte所長和陸沅博士來半導體所進行學術交流。

          交流會上,Thierry Belmonte教授作了題爲“Institute Jean Lamour: A whole lab built around a UHV tube”的學術報告,系統地介紹了Jean Lamour研究所的研究概況,重點介紹了Jean Lamour研究所的70米長超高真空管道和圍繞超高真空管道建立的實驗設備、研究目標等。陸沅博士做了題爲“Evidence of Pure Spin-Current Generated by Spin Pumping in Interface Localized States in Hybrid Metal-Silicon-Metal Vertical Structures”的學術報告,介紹了他在金屬--金屬垂直結構中純自旋電流的産生傳輸等特性,並與在座的30余名博士和碩士研究生進行了熱烈的討論和交流,使大家受益匪淺。

          會前,半導體所楊富華副所長與Thierry Belmonte教授進行了會談,感謝他在百忙之中來半導體所作學術報告和開展學術交流,並就加強兩所科研合作、促進人才聯合培養等進行了深入的探討。

           

           



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