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          熱烈祝賀常凱研究員當選中國科學院院士

          2019-11-22

            

          根據中國科學院《關于公布2019年中國科學院院士增選當選院士名單的公告》,半導體所常凱研究員當選中國科學院院士(數學物理學部)。

           

          學部主席團與新當選院士合影

          頒證儀式

           


              常凱中國科學院半導體研究所研究员。 19648月出生于安徽潛山,阜陽師範學院學士,北京師範大學碩士,博士。2001年入選中科院人才計劃, 2005年度獲得國家傑出青年基金資助,曾獲2004年國家自然科學二等獎(排名第三),2013年黃昆固體物理和半導體物理獎。2019年當選爲中國科學院數理學部院士。

          提出利用半導體極性界面調控半導體量子結構能隙,發現極性界面處存在極強的局域電場,可以顯著的改變其能帶結構,後得到實驗證實。這爲人工設計半導體物性打開了新的途徑,在半導體結構中實現寬光譜光電響應(從紅光到太赫茲);在主流半導體(Ge,InN)中實現拓撲相,突破了拓撲材料僅限于含有重元素的窄能隙體系的傳統認識。發現窄能隙半導體非線性Rashba自旋軌道耦合效應,指出Rassba線性模型是常凱模型的一階近似,而非線性行爲是不可避免的,糾正了長期廣泛使用的Rashba模型隨動量增加而出現的嚴重偏差。預言窄能隙體系是觀測自旋霍爾效應的最佳體系,並提出電場調控磁性的方案爲自旋調控提供了新機制。發展多帶多體有效質量理論,在窄能隙半導體量子結構中發現激子絕緣體及新奇電子態的存在,得到實驗驗證。他的工作揭示了半導體量子結構中豐富的物理內涵。

          常凱是我國半導體理論物理領域一位優秀的學科帶頭人。他注重理論與實驗合作,在半導體量子結構物性調控,特別是半導體極性界面、窄能隙半導體自旋軌道耦合和新奇量子相探索等方面取得了一系列具有重要國際影響的原創性成果,發表包括Nature子刊和PRL在內的重要學術刊物上的SCI論文150余篇,在國際半導體物理大會(ICPS)、美國APS March Meeting等國際會議上做邀請報告60余次。曾擔任第16屆國際窄能隙半導體會議主席和第33屆國際半導體物理大會程序委員會主席。

           



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